rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти Crucial BLS2K8G3N18AES4. Отзывы о Crucial BLS2K8G3N18AES4.
bg

Crucial BLS2K8G3N18AES4 отзывы.

Вся память >> Crucial >> Crucial BLS2K8G3N18AES4

Описание Crucial BLS2K8G3N18AES4: Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: SODIMM 204-контактный; Тактовая частота: 1866 МГц; Пропускная способность: 14900 Мб/с; Объем: 2 модуля по 8 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; CAS Latency (CL): 10; RAS to CAS Delay (tRCD): 10; Row Precharge Delay (tRP): 10; Activate to Precharge Delay (tRAS): 30;...



Добавить отзыв о Crucial BLS2K8G3N18AES4
Имя: 
Отзыв: 
  
        1+4= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

Transcend TS256MAPMC133
Transcend TS256MAPMC133 Тип памяти: SDRAM; Форм-фактор: SODIMM 144-контактный; Тактовая частота: 133 МГц; Объем памяти: 1 модуль 0.256 Гб; Напряжение питания: 3.3 В; CAS Latency (CL): 3;...
Kingston KVR1333D3D8R9SK2/8GI
Kingston KVR1333D3D8R9SK2/8GI Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10600 Мб/с; Поддержка ECC: есть; Буферизованная (Registered): Есть; Объем: 2 модуля по 4 Гб; Нап...


bg