rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти Crucial BLS2C8G3N18AES4CEU. Отзывы о Crucial BLS2C8G3N18AES4CEU.
bg

Crucial BLS2C8G3N18AES4CEU отзывы.


Вся память >> Crucial >> Crucial BLS2C8G3N18AES4CEU

Описание Crucial BLS2C8G3N18AES4CEU: Тип памяти: DDR3L; Форм-фактор: SODIMM 204-контактный; Тактовая частота: 1866 МГц; Пропускная способность: 14900 Мб/с; Объем: 2 модуля по 8 Гб; Напряжение питания: 1.35 В; CAS Latency (CL): 10; RAS to CAS Delay (tRCD): 10; Row Precharge Delay (tRP): 10; Activate to Precharge Delay (tRAS): 30;...




Добавить отзыв о Crucial BLS2C8G3N18AES4CEU
Имя: 
Отзыв: 
  
        10+1= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня


Crucial CT102464BA1339
Crucial CT102464BA1339 Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10600 Мб/с; Объем: 1 модуль 8 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; CAS Latency (CL): 9;...
G.SKILL F3-12800CL11S-4GBSQ
G.SKILL F3-12800CL11S-4GBSQ Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: SODIMM 204-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 1 модуль 4 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; CAS Latency (CL): 11; RAS to CAS ...


bg