rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти Corsair CMY8GX3M2A2400C11R. Отзывы о Corsair CMY8GX3M2A2400C11R.
bg

Corsair CMY8GX3M2A2400C11R отзывы.

Вся память >> Corsair >> Corsair CMY8GX3M2A2400C11R

Описание Corsair CMY8GX3M2A2400C11R: Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 2400 МГц; Пропускная способность: 19200 Мб/с; Объем: 2 модуля по 4 Гб; Напряжение питания: 1.65 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 11; RAS to CAS Delay (tRCD): 13; Row Precharge Delay (tRP): 13; Activate to Precharge Delay (tRAS): 31;...



Добавить отзыв о Corsair CMY8GX3M2A2400C11R
Имя: 
Отзыв: 
  
        2+4= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

Kingston KVR16S11/8
Kingston KVR16S11/8 Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: SODIMM 204-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 1 модуль 8 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; Количество ранков: 2; Количество ...
Kingston KHX24C11T3K2/8X
Kingston KHX24C11T3K2/8X Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 2400 МГц; Пропускная способность: 19200 Мб/с; Объем: 2 модуля по 4 Гб; Напряжение питания: 1.65 В; Количество ранков: 2; Количеств...


bg