rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти AMD R744G2400U1S. Отзывы о AMD R744G2400U1S.
bg

AMD R744G2400U1S отзывы.


Вся память >> AMD >> AMD R744G2400U1S

Описание AMD R744G2400U1S: Тип памяти: DDR4; Форм-фактор: DIMM 288-контактный; Тактовая частота: 2400 МГц; Пропускная способность: 19200 Мб/с; Объем: 1 модуль 4 Гб; Напряжение питания: 1.2 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 15; RAS to CAS Delay (tRCD): 15; Row Precharge Delay (tRP): 15; Activate to Precharge Delay (tRAS): 36;...




Добавить отзыв о AMD R744G2400U1S
Имя: 
Отзыв: 
  
        1+8= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня


Kingston HX421C14FB/8
Kingston HX421C14FB/8 Тип памяти: DDR4; Форм-фактор: DIMM 288-контактный; Тактовая частота: 2133 МГц; Объем: 1 модуль 8 Гб; Напряжение питания: 1.2 В; Количество ранков: 2; Количество чипов каждого модуля: 16 двусторонняя ...
GoodRAM GR1333S364L9S/4G
GoodRAM GR1333S364L9S/4G Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: SODIMM 204-контактный; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10600 Мб/с; Объем: 1 модуль 4 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; CAS Latency (CL): 9;...


bg