rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти AMD R538G1601S2SL-UO. Отзывы о AMD R538G1601S2SL-UO.
bg

AMD R538G1601S2SL-UO отзывы.


Вся память >> AMD >> AMD R538G1601S2SL-UO

Описание AMD R538G1601S2SL-UO: Тип памяти: DDR3L; Форм-фактор: SODIMM 204-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 1 модуль 8 Гб; Напряжение питания: 1.35 В; CAS Latency (CL): 11; RAS to CAS Delay (tRCD): 11; Row Precharge Delay (tRP): 11; Activate to Precharge Delay (tRAS): 28;...




Добавить отзыв о AMD R538G1601S2SL-UO
Имя: 
Отзыв: 
  
        8+4= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня


Team Group TED38G1866C13DC-S01
Team Group TED38G1866C13DC-S01 Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: SODIMM 204-контактный; Тактовая частота: 1866 МГц; Пропускная способность: 14900 Мб/с; Объем: 2 модуля по 4 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; CAS Latency (CL): 13; RAS to C...
Team Group TED32G1600C1101
Team Group TED32G1600C1101 Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 1 модуль 2 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; CAS Latency (CL): 11; RAS to CAS De...


bg