rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти AMD R532G1601U1S-UO. Отзывы о AMD R532G1601U1S-UO.
bg

AMD R532G1601U1S-UO отзывы.


Вся память >> AMD >> AMD R532G1601U1S-UO

Описание AMD R532G1601U1S-UO: Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 1 модуль 2 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; CAS Latency (CL): 11; RAS to CAS Delay (tRCD): 11; Row Precharge Delay (tRP): 11; Activate to Precharge Delay (tRAS): 28;...




Добавить отзыв о AMD R532G1601U1S-UO
Имя: 
Отзыв: 
  
        5+8= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня


Kingston HX321C11SR/8
Kingston HX321C11SR/8 Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 2133 МГц; Объем: 1 модуль 8 Гб; Напряжение питания: 1.6 В; Количество ранков: 2; Количество чипов каждого модуля: 16 двусторонняя ...
Transcend TX2400KLN-8GK
Transcend TX2400KLN-8GK Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 2400 МГц; Пропускная способность: 19200 Мб/с; Объем: 2 модуля по 4 Гб; Напряжение питания: 1.65 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL...


bg