rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти AMD R334G1339U1S-UO. Отзывы о AMD R334G1339U1S-UO.
bg

AMD R334G1339U1S-UO отзывы.


Вся память >> AMD >> AMD R334G1339U1S-UO

Описание AMD R334G1339U1S-UO: Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10600 Мб/с; Объем: 1 модуль 4 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; CAS Latency (CL): 9; RAS to CAS Delay (tRCD): 9; Row Precharge Delay (tRP): 9; Activate to Precharge Delay (tRAS): 24;...




Добавить отзыв о AMD R334G1339U1S-UO
Имя: 
Отзыв: 
  
        7+6= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня


G.SKILL F3-12800CL10S-8GBXL
G.SKILL F3-12800CL10S-8GBXL Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 1 модуль 8 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 1...
Silicon Power SP002GBLTU160V01
Silicon Power SP002GBLTU160V01 Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 1 модуль 2 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; CAS Latency (CL): 11; RAS to CAS De...


bg