Общие характеристики Samsung MZ-V7S500BW |
Тип флэш-памяти: | TLC 3D NAND |
Контроллер: | Samsung Phoenix |
Форм-фактор: | M.2 |
Объем: | 500 Гб |
Объем буфера: | 512 Мб |
Скорость записи: | 3 200 Мб/с |
Скорость чтения: | 3 500 Мб/с |
Скорость случайной записи (блоки по 4Кб): | 550 000 IOPS |
Скорость случайного чтения: | 480 000 IOPS |
Суммарное число записываемых байтов (TBW): | 300 Тб |
Поддержка NCQ: | нет |
Время наработки на отказ: | 1 500 000 ч |
Охлаждение: | нет |
Год выхода на рынок: | 2019 г. |
Интерфейсы Samsung MZ-V7S500BW |
PCI-E: | да |
Тип PCI-E: | PCI-E 3.0 x4 |
M.2: | да |
Размеры M.2: | 2 280 |
NVMe: | да |
Дополнительные характеристики Samsung MZ-V7S500BW |
Шифрование данных: | да |
Потребляемая мощность (чтение/запись): | 5.8 Вт |
Потребляемая мощность (ожидание): | 0.03 Вт |
Габариты Samsung MZ-V7S500BW |
Высота: | 2.38 мм |
Длина: | 80.15 мм |
Ширина: | 22.15 мм |
Вес: | 8 г |