Общие характеристики GIGABYTE GP-GSM2NE3100TNTD |
Тип флэш-памяти: | TLC 3D NAND |
Контроллер: | Phison PS5008-E8 |
Форм-фактор: | M.2 |
Объем: | 1 000 Гб |
Скорость записи: | 2 100 Мб/с |
Скорость чтения: | 2 500 Мб/с |
Скорость случайной записи (блоки по 4Кб): | 430 000 IOPS |
Скорость случайного чтения: | 295 000 IOPS |
Суммарное число записываемых байтов (TBW): | 1 600 Тб |
Время наработки на отказ: | 1 500 000 ч |
Охлаждение: | нет |
Год выхода на рынок: | 2019 г. |
Интерфейсы GIGABYTE GP-GSM2NE3100TNTD |
PCI-E: | да |
Тип PCI-E: | PCI-E 3.0 x4 |
M.2: | да |
Размеры M.2: | 2 280 |
NVMe: | да |
Дополнительные характеристики GIGABYTE GP-GSM2NE3100TNTD |
Потребляемая мощность: | 2.2 Вт |
Потребляемая мощность (чтение/запись): | 3.5 Вт |
Потребляемая мощность (ожидание): | 0.0021 Вт |
Габариты GIGABYTE GP-GSM2NE3100TNTD |
Высота: | 2.3 мм |
Длина: | 80 мм |
Ширина: | 2.3 мм |