Общие характеристики Silicon Power SP512MBRRE533O01 |
Тип: | DDR2 |
Форм-фактор: | DIMM |
Объем одного модуля: | 0.5 Гб |
Количество контактов: | 240 |
Количество модулей: | 1 |
Тактовая частота: | 533 МГц |
Пропускная способность: | 4200 Мб/с |
Поддержка ECC: | да |
Буферизованная (Registered): | да |
Низкопрофильная (Low Profile): | нет |
Радиатор: | нет |
Тайминги Silicon Power SP512MBRRE533O01 |
CL: | 4 |
tRCD: | 4 |
tRP: | 4 |
Дополнительная информация Silicon Power SP512MBRRE533O01 |
Напряжение питания: | 1.8 В |
Чипы Silicon Power SP512MBRRE533O01 |
Количество: | 9 |
Упаковка: | односторонняя |