Общие характеристики Silicon Power SP512MBLRU667O02 |
Тип: | DDR2 |
Форм-фактор: | DIMM |
Объем одного модуля: | 0.5 Гб |
Количество контактов: | 240 |
Количество модулей: | 1 |
Тактовая частота: | 667 МГц |
Пропускная способность: | 5300 Мб/с |
Поддержка ECC: | нет |
Буферизованная (Registered): | нет |
Низкопрофильная (Low Profile): | нет |
Радиатор: | нет |
Тайминги Silicon Power SP512MBLRU667O02 |
CL: | 5 |
tRCD: | 5 |
tRP: | 5 |
Дополнительная информация Silicon Power SP512MBLRU667O02 |
Напряжение питания: | 1.8 В |
Чипы Silicon Power SP512MBLRU667O02 |
Количество: | 8 |
Упаковка: | односторонняя |