Silicon Power SP512MBLDU333O02 оперативная память для компьютера, ноутбука - характеристики, отзывы, описание, фото, продажа.
|
Общие характеристики Silicon Power SP512MBLDU333O02 | |
Тип памяти: | DDR |
Форм-фактор: | DIMM 184-контактный |
Тактовая частота: | 333 МГц |
Пропускная способность: | 2700 Мб/с |
Объем: | 1 модуль 512 Мб |
Внешние характеристики Silicon Power SP512MBLDU333O02 | |
Напряжение питания: | 2.5 В |
Количество чипов каждого модуля: | 8 односторонняя упаковка |
Тайминги Silicon Power SP512MBLDU333O02 | |
CAS Latency (CL): | 2.5 |
RAS to CAS Delay (tRCD): | 3 |
Row Precharge Delay (tRP): | 3 |