Основные характеристики Silicon Power SP004GBLFU266X02 |
Тип: | DDR4 |
Форм-фактор: | DIMM |
Объем одного модуля: | 4 Гб |
Количество модулей: | 1 |
Количество контактов: | 288 |
Количество рангов: | 1 |
Тактовая частота: | 2 666 МГц |
Пропускная способность: | 21 300 Мб/с |
Поддержка ECC: | нет |
Буферизованная (Registered): | нет |
Низкопрофильная (Low Profile): | нет |
Радиатор: | нет |
Поддержка XMP: | нет |
Тайминги Silicon Power SP004GBLFU266X02 |
CL: | 19 |
tRCD: | 19 |
tRP: | 19 |
Дополнительная информация Silicon Power SP004GBLFU266X02 |
Напряжение питания: | 1.2 В |
Чипы: Количество: | 4 |
Упаковка: | односторонняя |