Silicon Power SP002GBSRU667S02 оперативная память для компьютера, ноутбука - характеристики, отзывы, описание, фото, продажа.
|
Общие характеристики Silicon Power SP002GBSRU667S02 | |
Тип памяти: | DDR2 |
Форм-фактор: | SODIMM 200-контактный |
Тактовая частота: | 667 МГц |
Пропускная способность: | 5300 Мб/с |
Объем: | 1 модуль 2 Гб |
Внешние характеристики Silicon Power SP002GBSRU667S02 | |
Напряжение питания: | 1.8 В |
Количество чипов каждого модуля: | 16 двусторонняя упаковка |
Тайминги Silicon Power SP002GBSRU667S02 | |
CAS Latency (CL): | 5 |
RAS to CAS Delay (tRCD): | 5 |
Row Precharge Delay (tRP): | 5 |