rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти Silicon Power SP512MBSRU667O02. Отзывы о Silicon Power SP512MBSRU667O02.
bg

Silicon Power SP512MBSRU667O02 отзывы.


Вся память >> Silicon Power >> Silicon Power SP512MBSRU667O02

Описание Silicon Power SP512MBSRU667O02: Тип: DDR2; Форм-фактор: SODIMM; Объем одного модуля: 0.5 Гб; Количество контактов: 200; Количество модулей: 1; Тактовая частота: 667 МГц; Пропускная способность: 5300 Мб/с; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Радиатор: нет; CL: 5; tRCD: 5; tRP: 5; Напряжение питания: 1.8 В;...




Добавить отзыв о Silicon Power SP512MBSRU667O02
Имя: 
Отзыв: 
  
        6+4= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня


Sony VGP-MM512M
Sony VGP-MM512M Тип: DDR2; Форм-фактор: SODIMM; Объем одного модуля: 0.5 Гб; Количество модулей: 1; Тактовая частота: 667 МГц; Пропускная способность: 5300 Мб/с; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; ...
Spectek DDR 400 DIMM 1Gb
Spectek DDR 400 DIMM 1Gb Тип: DDR; Форм-фактор: DIMM; Объем одного модуля: 1 Гб; Количество контактов: 184; Количество модулей: 1; Тактовая частота: 400 МГц; Пропускная способность: 3200 Мб/с; Поддержка ECC: нет; Буферизованн...


bg