rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти Silicon Power SP512MBRRE667O01. Отзывы о Silicon Power SP512MBRRE667O01.
bg

Silicon Power SP512MBRRE667O01 отзывы.

Вся память >> Silicon Power >> Silicon Power SP512MBRRE667O01

Описание Silicon Power SP512MBRRE667O01: Тип: DDR2; Форм-фактор: DIMM; Объем одного модуля: 0.5 Гб; Количество контактов: 240; Количество модулей: 1; Тактовая частота: 667 МГц; Пропускная способность: 5300 Мб/с; Поддержка ECC: да; Буферизованная (Registered): да; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Радиатор: нет; CL: 5; tRCD: 5; tRP: 5; Напряжение питания: 1.8 В; Количество: 9; Упаковка: односторонняя;...



Добавить отзыв о Silicon Power SP512MBRRE667O01
Имя: 
Отзыв: 
  
        4+6= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

Simple Technology S1024J3EG2QA1
Simple Technology S1024J3EG2QA1 Тип: DDR; Форм-фактор: SODIMM; Объем одного модуля: 1 Гб; Количество контактов: 200; Количество модулей: 1; Тактовая частота: 266 МГц; Пропускная способность: 2100 Мб/с; Поддержка ECC: да; Буферизован...
Simple Technology S1024J3NGA1
Simple Technology S1024J3NGA1 Тип: DDR; Форм-фактор: SODIMM; Объем одного модуля: 1 Гб; Количество контактов: 200; Количество модулей: 1; Тактовая частота: 266 МГц; Пропускная способность: 2100 Мб/с; Поддержка ECC: нет; Буферизова...


bg