rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти Silicon Power SP004GBFRE667S01. Отзывы о Silicon Power SP004GBFRE667S01.
bg

Silicon Power SP004GBFRE667S01 отзывы.

Вся память >> Silicon Power >> Silicon Power SP004GBFRE667S01

Описание Silicon Power SP004GBFRE667S01: Тип: DDR2; Форм-фактор: FB-DIMM; Объем одного модуля: 4 Гб; Количество контактов: 240; Количество модулей: 1; Тактовая частота: 667 МГц; Пропускная способность: 5300 Мб/с; Поддержка ECC: да; Буферизованная (Registered): да; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Радиатор: да; CL: 5; tRCD: 5; tRP: 5; Напряжение питания: 1.8 В; Количество: 36; Упаковка: двусторонняя;...



Добавить отзыв о Silicon Power SP004GBFRE667S01
Имя: 
Отзыв: 
  
        2+1= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

Silicon Power SP004GBFRE800S01
Silicon Power SP004GBFRE800S01 Тип: DDR2; Форм-фактор: FB-DIMM; Объем одного модуля: 4 Гб; Количество контактов: 240; Количество модулей: 1; Тактовая частота: 800 МГц; Пропускная способность: 6400 Мб/с; Поддержка ECC: да; Буферизов...
Fujitsu S26361-F3377-L425
Fujitsu S26361-F3377-L425 Тип: DDR3; Форм-фактор: DIMM; Объем одного модуля: 4 Гб; Количество контактов: 240; Количество модулей: 1; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10600 Мб/с; Поддержка ECC: да; Буферизова...


bg