rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти G.SKILL F3-2400C11Q-32GXM. Отзывы о G.SKILL F3-2400C11Q-32GXM.
bg

G.SKILL F3-2400C11Q-32GXM отзывы.

Вся память >> G.Skill >> G.SKILL F3-2400C11Q-32GXM

Описание G.SKILL F3-2400C11Q-32GXM: Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 2400 МГц; Пропускная способность: 19200 Мб/с; Объем: 4 модуля по 8 Гб; Напряжение питания: 1.65 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 11; RAS to CAS Delay (tRCD): 13; Row Precharge Delay (tRP): 13; Activate to Precharge Delay (tRAS): 31;...



Добавить отзыв о G.SKILL F3-2400C11Q-32GXM
Имя: 
Отзыв: 
  
        10+9= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

Kingston KTD-PE313Q8LV/16G
Kingston KTD-PE313Q8LV/16G Тип памяти: DDR3L; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10600 Мб/с; Поддержка ECC: есть; Буферизованная (Registered): Есть; Объем: 1 модуль 16 Гб; Напр...
Patriot 2 GB DDR3 1600 MHz (PSD32G16002H)
Patriot 2 GB DDR3 1600 MHz (PSD32G16002H) Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 1 модуль 2 Гб; Напряжение питания: 1.6 В; Количество ранков: 2; Количество чи...


bg