rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти G.SKILL F3-2133C9D-16GXH. Отзывы о G.SKILL F3-2133C9D-16GXH.
bg

G.SKILL F3-2133C9D-16GXH отзывы.


Вся память >> G.Skill >> G.SKILL F3-2133C9D-16GXH

Описание G.SKILL F3-2133C9D-16GXH: Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 2133 МГц; Пропускная способность: 17000 Мб/с; Объем: 2 модуля по 8 Гб; Напряжение питания: 1.6 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 9; RAS to CAS Delay (tRCD): 11; Row Precharge Delay (tRP): 11; Activate to Precharge Delay (tRAS): 31;...




Добавить отзыв о G.SKILL F3-2133C9D-16GXH
Имя: 
Отзыв: 
  
        9+4= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня


Team Group TED38GM1333C9-S01
Team Group TED38GM1333C9-S01 Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: SODIMM 204-контактный; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10660 Мб/с; Объем: 1 модуль 8 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; CAS Latency (CL): 9; RAS to CAS D...
Kingston KVR800D2N6/1G
Kingston KVR800D2N6/1G Тип памяти: DDR2; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 800 МГц; Пропускная способность: 6400 Мб/с; Объем: 1 модуль 1; Напряжение питания: 1.8 В; Количество чипов каждого модуля: 16 двус...


bg