rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти G.SKILL F3-1600C11D-16GIS. Отзывы о G.SKILL F3-1600C11D-16GIS.
bg

G.SKILL F3-1600C11D-16GIS отзывы.

Вся память >> G.Skill >> G.SKILL F3-1600C11D-16GIS

Описание G.SKILL F3-1600C11D-16GIS: Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 2 модуля по 8 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 11; RAS to CAS Delay (tRCD): 11; Row Precharge Delay (tRP): 11; Activate to Precharge Delay (tRAS): 28;...



Добавить отзыв о G.SKILL F3-1600C11D-16GIS
Имя: 
Отзыв: 
  
        5+2= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

HP 669324-B21
HP 669324-B21 Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Поддержка ECC: есть; Объем: 1 модуль 8 Гб; Количество ранков: 2; CAS Latency (CL): 9...
GoodRAM W-AMM672G
GoodRAM W-AMM672G Тип памяти: DDR2; Форм-фактор: SODIMM 200-контактный; Тактовая частота: 667 МГц; Пропускная способность: 5300 Мб/с; Объем: 1 модуль 2 Гб; Напряжение питания: 1.8 В; Совместимость: MacBook, MacBook Pro...


bg