rzd
Каталог мобильных телефонов
Отзывы о оперативной памяти G.SKILL 4 GB (2x2GB) DDR3 1333 MHz (F3-10666CL8D-4GBXM). Отзывы о G.SKILL 4 GB (2x2GB) DDR3 1333 MHz (F3-10666CL8D-4GBXM).
bg

G.SKILL 4 GB (2x2GB) DDR3 1333 MHz (F3-10666CL8D-4GBXM) отзывы.

Вся память >> G.Skill >> G.SKILL 4 GB (2x2GB) DDR3 1333 MHz (F3-10666CL8D-4GBXM)

Описание G.SKILL 4 GB (2x2GB) DDR3 1333 MHz (F3-10666CL8D-4GBXM): Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10666 Мб/с; Объем: 2 модуля по 2 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL): 8; RAS to CAS Delay (tRCD): 8; Row Precharge Delay (tRP): 8; Activate to Precharge Delay (tRAS): 24;...



Добавить отзыв о G.SKILL 4 GB (2x2GB) DDR3 1333 MHz (F3-10666CL8D-4GBXM)
Имя: 
Отзыв: 
  
        6+6= *Проверочный код: сумма двух чисел.


Популярные сегодня

Geil GEL316GB1600C9DC
Geil GEL316GB1600C9DC Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Объем: 2 модуля по 8 Гб; Напряжение питания: 1.5 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL)...
Geil GPW38GB2133C11DC
Geil GPW38GB2133C11DC Тип памяти: DDR3; Форм-фактор: DIMM 240-контактный; Тактовая частота: 2133 МГц; Пропускная способность: 17000 Мб/с; Объем: 2 модуля по 4 Гб; Напряжение питания: 1.65 В; Радиатор: есть; CAS Latency (CL...


bg